据悉，前些日子，科学家成功研发出了0.7nm二硒化钨二极管，这意味着人类终于打破了半导体3nm制程极限，朝半导体技术发展之路，又往前迈了一小步！为什么这么说呢？可能热衷于半导体的你会知道，半导体的工艺制程随智能手机的发展处在急速提升期，从28nm、16nm、10nm、7nm、5nm到3nm。但是，在这过程中，半导体工艺的微缩进程也正因摩尔定律的逐渐失效而变慢。

二硒化钨

那么，这二硒化钨（WSe2）到底为何物？这二硒化钨，往大了说，同石墨烯一样，都是二维纳米材料，具有许多独特的物理性质和化学性质，被认为是能为计算机和通信等诸多领域带来革命性冲击的存在。

往小了说，二硒化钨，是一种过渡金属二硫族化合物（TMDs），能在单化合原子层的厚度（约0.7nm）内展现极佳的半导体传输特性，对比以往传统硅半导体材料，在厚度上，其已经超越3nm的制程极限；在应用上，其可完全满足次世代集成电路所提出的需求——更薄、更小、更快。

手机半导体芯片

当然了，科学家们对其他具有独特的物理化学性能和巨大应用价值的二维纳米材料的探究，如过渡金属氧化物中的三氧化钨、三氧化钼、二氧化钛、氧化锌等等，也是充满了兴趣。其实吧，到目前为止，人类关于二维纳米材料的研究还不是特别深入，希望我们的科研人员，我们的小骄傲，继续努力来开发出新的二维纳米材料，并挖掘出它们巨大的潜在价值。相信在不久的将来，二维纳米材料不仅在手机半导体芯片，而且在催化、储能、传感器、太阳能电池等诸多领域也将得到广泛的应用。