成果简介

图2. （a） g-MC-A 和 （b） g-MC-B 的应变-应力曲线，x 和 y 的方向标记在图1.

图3 、（a）g-MC-A和（b）g-MC-B的能带结构和PDOS，费米能级移位至零。（c） 空穴和电子在g-MC-A和g-MC-B中沿x和y方向的载流子迁移率。

图4. （a） 带边示意图。ZT 值为 （b） g-MC-A 和 （c） g-MC-B，温度范围为 300 K 至 800 K。

小结

总之，我们提出了两个稳定的2D单层，即g-MC-A和g-MC-B。计算结果表明，通过施加拉伸单轴应变，两个单层的杨氏模量和极限强度是各向异性的。不同方向上两种结构的杨氏模量约为460 GPa，约为石墨烯的一半。g-MC-A和g-MC-B都是间接窄带隙半导体，带隙分别为0.17 eV和0.25 eV。两种结构的载流子迁移率超高，在两个方向上具有显著的各向异性和不对称性。本文提出的C基无金属层在可穿戴热电和微电子应用中具有极好的前景。

文献：