前段时间，我们介绍了提升5倍速度的碳化硅抛光技术，最近，日本又出现了一项技术，可以将碳化硅抛光速度提升10倍。

“三代半风向”从他们的文献中，发现了几个亮点：

〇 新技术将SiC的抛光效率提高约 10 倍，达到10µm/h；

〇 与传统技术相比，可在更短的时间内实现 1 纳米以下的优异表面粗糙度；

〇 抛光不需要化学电解液，可降低环境负荷；

除了切割外，碳化硅晶片抛光也很费劲。

根据台湾工研院的数据，传统CMP抛光技术材料移除率低于0.2μm/h，4英寸碳化硅晶圆的抛光制程需耗时≧10小时，因此产能没法提升，成本下不来。

而且，SiC (0001)面（即Si面）的抛光更具挑战性——在CMP工艺中，Si面的材料去除率仅为C面 (000-1) 的十分之一。

现阶段，有几种Si面CMP技术。

第一种是将H2O2和 KMnO4等强氧化剂加入浆料中,以提高表面的氧化速率，但会缩短聚合物基抛光垫的使用寿命，而且还需要废物处理工艺，从而使得CMP工艺昂贵。

第二种是将等离子体氧化和软磨料相结合，来提高SiC的氧化速率，但是稳定的等离子体难以产生，并且等离子体产生需要耗费大量电能。

而且，抛光约10分钟，SiC的表面粗糙度可以从约50纳米降低到小于1纳米，并且可以获得没有抛光划痕的表面。