来源：央视新闻客户端

碳化硅晶体是一种性能优异的半导体材料，在信息、交通、能源、航空、航天等领域具有重要应用。春节期间，中科院物理研究所科研团队们正在探索用一种新的方法生长碳化硅晶体，研制情况如何？

在物理研究所的先进材料与结构分析实验室，陈小龙和同事们正在对刚刚生长出来的碳化硅晶体进行分析研究。与传统的气相法不同，这个4英寸的碳化硅晶体采用的是最新的液相法生长而成。

中科院物理研究所研究员 陈小龙：它的优点就是生长温度是比较低的，比如说在1700~1800摄氏度左右，那么生长出来的晶体没有微管这种大的缺陷，位错密度也相对比较低一些。最重要的一个好处就是它生长出来的晶体良率比较高，就相当于变相地降低了每一片的成本。

相比同类硅基器件而言，碳化硅器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、体积小和重量轻等优点，在电动汽车、光伏、轨道交通、5G通信等领域具有重要的应用价值。多年来，陈小龙带领团队立足自主研发，从基础研究到应用研究，突破了生长设备、高质量碳化硅晶体生长和加工等关键技术，实现了整套技术路线的自主可控。通过多年不懈攻关，科研团队通过气相法将碳化硅晶体直径从小于10毫米不断增大到2英寸、4英寸、6英寸和8英寸。

中国地理信息产业协会副会长 中科星图总裁 邵宗有：新的一年，希望我们的数字地球能够更多服务于老百姓的生产和生活。

中科院院士 中科院空天信息创新研究院院长 吴一戎：我们希望有更高分辨率、更高精度的对地观测系统上天，服务于国家的发展。

（总台央视记者 帅俊全 褚尔嘉 韩文旸）