据悉，薄膜沉积工艺除了ALD技术以外，还有物理式真空镀膜（PVD）还有化学式真空镀膜（CVD）等，相比较与其他工艺而言，在超摩尔技术的发展过程中，ALD的优势在于哪里？为何能够脱颖而出？

BENEQ半导体业务技术总监Alexander Perros介绍了几种ALD技术在超摩尔中的特色工艺领域中的技术优势。

在氮化镓的功率器件解决方案中，ALD技术能够增强高功能氮化镓的性能，主要表现在五个方面，第一，通过ALD薄膜实现表面的钝化和覆盖；第二，通过氧化铝叠层实现一个高K介电质的沉积；第三，原位预处理去除自然氧化层，实现表面稳定化，以提高整个器件的性能；第四，通过高质量的ALD氮化铝，可形成产能的缓冲层，这对于RF滤波器的使用而言非常关键的，但目前还处于研发阶段；第五，可通过低温ALD叠层，来实现精密封装技术。

在碳化硅解决方案中，ALD能够形成高质量的介电质以及界面工程。通过使用ALD技术，能够降低界面态的密度，并提升整个电子迁移率，从而提升整个器件的性能。

通过高保形、高性能的ALD材料能够实现沟槽碳化硅MOSFET的应用。在传统技术中，碳化硅的晶体会因为暴露在空气中而发生氧化，但是有了ALD技术，这个问题就可以得到很好的解决。

在原位等离子的处理中，ALD技术可以实现高效的碳化硅钝化。有了等离子处理之后，整体的钝化效果和整体碳化硅的情况都能够得到很好的优化。

与此同时，聂翔认为，与PVD、CVD等技术相比较而言，ALD也有其得天独厚的优势，这也是使其能够在超越摩尔领域中脱颖而出的关键。“ALD能够在各种尺寸和形状的基底上实现沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜，并且能够在大批量大面积的基底材料和复杂的三维物体表面制备高保形薄膜，包括疏松多孔的基体材料和粉末，这是其他几类技术所难以达到的。”聂翔告诉《中国电子报》记者。

尽管ALD技术在超摩尔技术领域中有其得天独厚的优势，但是在应用过程中，难免也会产生一些问题。

据悉，由于ALD 适合制备很薄的高K金属氧化物层，因此对腔室的真空度要求比较高，对反应气体源及比例的要求也较高。这导致了目前ALD技术的沉积速率相对比较慢，大大限制了其在工业上的推广应用，甚至有声音称：用ALD技术镀一层膜需要花20个小时，而用其他方式几小时就搞定。

对此，聂翔表示，镀膜速度相对较慢也是ALD的一个技术特点，同时也是其技术短板，但这并不意味着无法攻克。“如今，作为ALD企业，我们也在做大量的工作来提升产能，从而弥补ALD镀膜速度慢的短板。例如，我们开发了空间ALD产品，空间ALD的镀膜速度远远高于传统ALD的镀膜速度，并且如今已经推出了相关的产品，在工业和泛半导体领域开展了应用，可以有效弥补ALD镀膜速度慢的短板。”

BENEQ半导体业务负责人Patrick Rabinzohn介绍，ALD镀膜技术事实上是可以根据用户的具体的需求进行调整的，选择等离子的ALD或者是热法ALD等，通过对技术的一系列改进，现在具体的配置尺寸也可以根据加载的模块数量来决定，从而能有效解决镀膜速度相对较慢的问题。例如，现在50纳米的氧化铝，最多的产量可以达到每小时40片晶圆以上，如果是Lite版本则是每小时25片以上。如果厚度比较薄，产量甚至可以高达90片。

如今，技术迅猛发展，正在颠覆整个行业对ALD镀膜过去的认知。