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1、制备陶瓷电容器介电材料，制得陶瓷的晶粒大小可以控制在1000nm范围内，介电损耗小，材料均匀性好，适用于生产大容量、具有高绝缘电阻率、超薄介电层(介电层厚度小于10μm)的多层陶瓷电容器。其氧化镁添加量0.5-5%。
6、制备高韧性陶瓷材料，以纳米氧化镁和纳米氧化钇或稀土金属氧化物为复合稳定剂烧成及热处理制成的力学性能优良，抗高温老化的部分稳定氧化锆陶瓷。该陶瓷材料可广泛用作高温工程部件及高级耐火材料。
7、抗还原介电陶瓷材料的辅助成分，其添加量纳米氧化镁0.001—10%。
8、单面二氧化碳气体保护焊用陶瓷垫板材料，其添加量纳米氧化镁1～10%。
9、玻璃陶瓷，以纳米氧化硅，纳米二氧化钛、纳米氧化铝、纳米氧化镁等烧结的玻璃陶瓷可以用浮法玻璃法加工成透明的，尤其适用为薄膜半导体用衬底，具体可应用于显示器、太阳能电池等。其中纳米氧化镁添加量6-20%。
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