过去几年，P-PERC等技术变革带来的红利推动了度电成本的显著下降与行业的一轮大发展，当前，光伏产业正处在新一轮技术大发展的前夜，其中，高效电池与大硅片可能是未来几年最有希望获得突破的方向，其在众多高效电池技术路线中，HIT具有一些突出的物理特性和优势。近几年，国内外部分企业开始HIT电池的商业化尝试与推广，当前的主要矛盾是PECVD等核心装备的可用性，再之后可能是继续提高效率与耗材降本。综合产业端的现状，我们认为HIT电池产业化在加速，并且可能正在酝酿着突破。

摘要

1.光伏行业处于新一轮技术大发展的前夜。高效电池与大硅片的可能是光伏行业未来几年最有希望获得突破的重要方向。在电池片领域，N型电池是目前业内最认可的技术路线，N型电池最主要的两个方向为HIT和TOPCon，HIT由于其优势显著且降本路径比较清晰，有可能成为下一代的主流技术。

2.HIT具有优秀的物理特性与一定优势。HIT一般采用N型路线，具备更高效、衰减低、温度系数好、双面率高等突出优势。目前全球最高效率是日本钟渊创造的26.7％，国内最高已经可以做到25.11％。现有产线的量产效率普遍在23.5％-24％，未来效率继续提升空间较大。HIT主要劣势是造价高，目前主要应用在一些BOS成本较高的市场。按照现有BOM和BOS成本水平，1％的效率优势可以带来0.08-0.10元/瓦的溢价，随着其效率提升与成本下降，HIT应用市场会不断扩大。

3.产业化在加速，突破可能在酝酿中。当前，全球HIT产能约3GW，其中，REC在2019年投运了600MW商业化项目，国内一批企业也开始商业化前的尝试与导入，估算规划产能超过20GW，并且2020年Q2-3将有一批标杆项目投运。装备方面，过去两年主要装备企业在转化效率等方面获得较大进展，国内相关装备上市公司也多将HIT作为重点投入方向。设备端清洗制绒、PVD/RPD、丝网印刷都已突破，唯一的难点在于PECVD，海内外众多企业都在集中攻关以提高PECVD的节拍、稳定性、均匀性，并降低设备价格，明年可能会有较大突破。除PECVD等核心设备外，低温银浆、靶材研发也有较大的突破与进展。

投资建议

继续推荐：隆基股份、通威股份；

推荐：山煤国际（煤炭联合）、东方日升；

设备环节推荐：金辰股份、捷佳伟创（机械联合）、迈为股份（机械联合）；

辅材关注：苏州固锝。

风险提示：HIT电池成本降低进度不及预期、量产效率提升不及预期。

1.HIT问世已30年，技术积累带来突破

1.1 异质结电池从萌芽走向成熟

HIT萌芽：1989-1990年。日本三洋用非晶硅薄膜代替本征微晶硅层，做出的电池效率达到14.5％，并命名为HIT。三洋将HIT注册为商标，专利保护到2015年结束。

HIT摸索：1991-2015年。海内外众多研究机构对HIT工艺进行优化，对不同的工艺路线进行了摸索，少量企业建立了中试线，研发效率接近25％。

HIT导入：2016-2019年。2015年三洋专利保护到期，大量企业进入HIT领域，建设了十几条中试线，尝试将HIT导入商业化生产，量产效率站上23％，研发站上25％。

中国HIT产业发展历史。

早期摸索：2011-2014年。上澎、赛昂、国电等企业引入进口设备进行了初步尝试。

中期尝试：2015-2018年。中智、汉能、晋能、钧石等企业建立中试线进行量产尝试，并摸索设备工艺和电池工艺，但碍于成本因素并未大规模量产。

近期突破：2019年。汉能研发效率达到25.11％，成为新的世界纪录。晋能和钧石研发效率接近25％，量产效率站上24％。靶材和银浆国产化也取得重大突破，HIT降本路径越来越清晰，性价比不断提升，布局HIT的企业从早期7家拓展到当前约20家。

HIT电池制造工序：清洗制绒>；非晶硅薄膜沉积>；TCO沉积>；制作电极>；测试分档。

清洗制绒：去除硅片表面杂质，制作金字塔绒面，减少阳光反射。HIT电池要求制作大绒面，制绒难度高于PERC。

非晶硅沉积：主要使用PECVD设备进行非晶硅薄膜沉积，薄膜厚度为纳米级，且内部结构较为复杂，半导体级工艺，技术摸索集中在这个环节。

TCO沉积：使用PVD或者RPD设备沉积金属氧化物导电层TCO，该工艺在平板显示领域应用较多，已经十分成熟，PVD和RPD目前还存在路线之争。

制作电极：丝网印刷或者镀铜，制作电极导出电流，MBB多主栅技术导入后，银浆消耗量大幅度下降，镀铜必要性大幅降低，主流企业基本都走刷银路线。

1.3异质结电池优势

效率高：目前主流企业量产效率都站上24％，行业新进者基本也在23.5％以上，明年底有望冲击25％。效率高带来组件环节BOM成本和电站环节BOS成本的节省。当前单晶PERC和常规多晶效率差3％，价格差0.35元/瓦。

温度系数低：组件表面温度每升高1℃，组件实际输出功率会下降一定比例。HIT下降约0.25％，PERC下降约0.37％，HIT单瓦发电量比PERC高约4％。

PECVD：主要是TMB、B2H6、PH3等气体，非常成熟，成本占比可以忽略。

PVD/RPD：氩气、靶材。先导、映日、壹纳等国内厂商已经突破，价格大幅低于海外厂商，未来需求放量，价格还有下降空间。靶材核心成分是氧化铟，质量占比在90％以上，剩余10％是氧化锡、氧化钨、氧化铈、氧化钛等金属氧化物。目前铟价格约900-1000元/千克，加工费约500-1000元/千克，完全成本在2000元/千克以下，价格在3000元/千克左右。当前靶材成本约5分/瓦，未来需求放量之后有望降到3分/瓦。

丝网印刷：低温银浆。HIT由于是低温工艺，PERC所用高温银浆不能应用于HIT电极制作，需要使用低温银浆。国内常州聚和、苏州晶银等厂商有供应，REC新加坡HIT工厂已经在采购上述某厂的低温银浆，其品质得到海外大厂认可，标志着低温银浆国产化已经取得实质突破。目前银浆价格约7000元/千克，需求放量后预计向5000元靠拢。

产业外资本谋求弯道超车。HIT技术的成熟吸引了部分产业外资本的目光，当前国内流动性整体充沛，部分传统行业企业通过供给侧改革积累了大量现金，同时传统行业由于产能过剩，难以在现有产业扩大再生产，只能谋求新的投资方向。

今年7月山煤国际公告建设10GW异质结生产线，正式开启转型之路。除了山煤以外，中国神华、陕西煤业、晋能集团、同煤集团、潞安集团、平煤集团、中国建材、国家电投等大型国有集团都在积极布局光伏产业，只是各自的技术方向和参与形式不一样。

除了国有企业外，部分实力雄厚的民营集团也已经行动起来，积极布局HIT产业，谋求在HIT时代弯道超车，成为HIT时代的头部企业。由于没有传统产能的掣肘，一旦技术方向确认，国产设备突破，其产能扩张将会非常迅速。

资本涌入将加速HIT技术的成熟。中国早期从事HIT的企业主要有汉能（技术人员被新进厂商瓜分）、中智（嗅到风口正在复产）、钧石（定位设备商）、赛昂（退出，人员流动到国电投等企业）、上澎（停产，设备太老）、晋能（积极研发，酝酿上市）。这些企业是中国HIT产业的先驱，进行了大量的工艺摸索和降本尝试，其技术人员成为当前中国HIT产业的中坚力量，由于没能实现产业化，大部分企业资金状况较差，制约了技术研发进展。

当前中国布局HIT的企业已经达到20家，资本的涌入为HIT设备和工艺研发创造了良好的客观条件，这会加速HIT工艺的成熟，一旦产能放量，又会加速耗材的降本和整个产业链配套的成熟，进而加速产业化进程。

2.4市场：高端到低端，分布式到电站

HIT电池存在溢价。HIT具备高效率、低衰减、低温度系数、高双面率的优势，目前23％效率的HIT电池售价1.6元/瓦，较21.9％效率的同尺寸PERC溢价0.65元/瓦。

HIT允许硅片变薄，单片耗硅量下降。HIT是低温工艺，因此可以使用更薄的硅片（高温下硅片太薄容易翘曲），目前主流PERC电池硅片厚度180微米，主流HIT硅片厚度150微米，头部企业可以兼容120微米硅片，理论上可以减薄到100微米。硅片减薄之后，出片率会增加，单片耗硅量下降。目前180微米厚的硅片耗硅15克，如果减薄到120微米，单片耗硅10.9克，硅耗下降27％。硅片减薄在电池环节实现难度较低，但硅片环节目前只能切到120微米，再薄不具备经济性，组件环节工艺较粗糙，需要更加精细化以匹配超薄硅片。

HIT效率提升，单瓦耗硅量下降。目前主流PERC电池厂电池效率在22.5％左右，对应单瓦硅耗2.72克（含切割损失），主流HIT电池厂电池效率在24％左右，按照目前使用的150微米厚度硅片计算，单瓦耗硅2.25克，下降17％。将来减薄到120微米，则单瓦硅料下降到1.95克，较当前PERC减少28％。

3.2硅片：P型转N型，HIT或加速大硅片推广

硅片进入N型时代。N型硅片少子是空穴，寿命比P型高两个数量级，且对金属杂质不敏感，衰减低，因此更适合用来制作HIT电池。目前国内N型硅片供应商主要是隆基、中环、晶科，其工艺已经成熟，硅片环节的切换难度相对较低。

硅片尺寸分歧较大，大硅片主要是新产线在兼容。传统电池产线使用M2硅片，明年主流预计是同尺寸但不带倒角的G1。隆基主推的M6需要对现有产线进行改造，改造费用约2500万元/GW，目前PERC电池厂盈利较弱，改造的积极性较低，因此主要是新建产线在配套M6。中环主推的M12则完全无法通过现有产线升级，只有新建产线才能兼容M12，但M12由于产业链各个环节改动较多，产业链配套尚未成熟，因此产业里观望较多，仅头部企业新建产能兼容了M12。从半导体产业发展经验来看，硅片尺寸做大有利于降低成本。

HIT是板式工艺，更容易兼容大硅片。HIT生产工艺仅4步，清洗制绒机和丝网印刷机尺寸调节较为容易。PECVD和PVD都是板式设备，其加工能力取决于载板面积，比如梅耶博格的PECVD载板一次可以放置56片（7*8）硅片，美国应材的6代PECVD一次可以放置99片（9*11）硅片，硅片尺寸变大之后，可以通过做大载板面积或者减少硅片放置数量来解决，因此HIT工艺比较容易兼容大硅片。PERC电池有部分管式生产设备，硅片尺寸超过炉管直径后只能更换设备。

PERC产线无法改造为HIT，新建HIT产线必然会考虑兼容大硅片。其实不管是新建PERC还是HIT抑或TOPCon产线，电池厂都会考虑对大硅片的兼容。但当前PERC技术完全扩散，壁垒较低，格局较散，盈利较弱，靠PERC推广大硅片大概率会比较缓慢。如果HIT技术成熟，新建HIT产线必然会直接过渡到大硅片，这会加快大硅片的推广。从目前产业调研情况来看，HIT设备厂普遍已经兼容M6硅片，或者直接就是按照M6硅片在设计，个别设备厂已经在往M12升级。

3.3电池：资本入局，格局重塑

PERC电池工艺高度集成在设备中，技术扩散导致产能大幅扩张。2019年PERC技术完全扩散，单晶PERC产能从年初的57GW增加到年底的116GW，增加1倍以上。无序扩张导致产能过剩，2019年Q3电池价格大跌，中小电池厂扩张停滞，但大厂扩张步伐在Q4重新启动，按照各家扩产计划，2020年底单晶PERC产能将达到166GW，超过需求量，因此即使没有新技术引入，2020年落后PERC也将退出。

HIT设备厂迈为股份对HIT电池完全成本的指引是含税0.95元/瓦，不含税0.84元/瓦，和钧石集团0.85元/瓦的成本指引基本一致。其硅片成本按照现有价格计算，考虑到明年硅片降价，2020年其不含税完全成本同样可以控制在0.8元/瓦左右。

当前23％效率的HIT电池售价1.6元/瓦，明年HIT量产之后，预计价格会逐渐下降。预估2020-2022年HIT电池价格分别为1.3/1.21/1.02元/瓦，净利分别为0.29/0.28/0.20元/瓦，较目前PERC电池盈利能力有一定扩张。

4.2结论与投资建议

HIT很可能是下一代光伏电池主流技术，当下HIT正处于从路线之争中走出来，得到光伏产业和产业外资本认可的阶段，而且这种认可正逐渐传导到资本市场，一旦技术方向确认，这是一个从0到1的市场，会在各个环节带来具有爆发力的投资机会。

硅料环节：推荐或关注N型料占比较高的通威、大全（美股）。

硅片环节：推荐N型硅片龙头隆基股份。

电池环节：推荐大手笔布局的山煤国际（煤炭联合）、通威股份、东方日升。

耗材环节：关注苏州固锝（子公司苏州晶银生产低温银浆）、常州聚和（拟上市）。

设备环节：推荐捷佳伟创（机械联合）、迈为股份（机械联合）、金辰股份。

产业认可正迅速传导到资本市场。2018年底，国内布局HIT的企业仅6家（汉能、晋能、钧石、中智、通威、上澎），当前已经达到20家，尤其是头部几个大厂转向HIT更加验证了HIT的可行性。近期HIT产业人才流动频繁，各家企业都在圈人，设备商询单也明显增多，HIT得到了产业认可，这种认可近期在迅速向资本市场传导，相关标的都已经启动。

2020年催化剂不断。HIT没有停留在概念阶段，而是已经开启了产业化，随着产业化的推进，2020年会有大量的进展，催化HIT行情。

中试线效果不断提升。通威、爱康、日升、晋能、普兰特等中试线陆续会有结果；

产业内外不断有企业宣布布局HIT。产业内外不少企业在积极筹备HIT项目，目前正在人员募集和设备选型阶段，HIT项目不断落地会进一步催化HIT行情；

设备厂取得突破。目前迈为已经交付样机，钧石、捷佳、金辰明年预计都有样机交付，样机得到验证将完成设备国产化，设备价格将迅速下降，刺激HIT产能爆发。

山煤等GW级产线得到初步验证。HIT目前还没有GW级的大线，山煤公告了10GW的项目，明年预计会有数个GW投放，效率、良率、成本、稼动率等参数会得到初步验证，一旦效率能做到24％ ，良率能做到96％ ，完全成本能控制在0.9元/瓦以下，HIT产业化会加速推进。

HIT为电池厂恢复融资能力，明年或有不少融资项目募投HIT。近期爱康科技宣布定增融资16亿，其中9.5亿投资1GW的HIT产线，明年很可能会有企业跟进。

风险提示

1）成本降低不及预期：目前异质结电池的生产成本仍相对较高，未来有望通过硅片薄片化、浆料用量减少、设备国产化等降低成本，如果成本降低不及预期，将对异质结电池产业化带来一定影响。

2）量产效率提升不及预期：目前异质结电池的量产效率在23.5％以上，效率优势是异质结电池的最大优势。未来如果异质结效率提升不及预期，将会减弱其与其他技术路线的竞争优势。