来自日本的一组研究人员设计了一种制造微小石墨烯带的新方法。由于石墨烯具有可预测的电子特性，这种石墨烯带在半导体器件中非常受欢迎。然而，事实证明，这些结构是具有挑战性的。

之前制作石墨烯纳米带的尝试是将石墨烯薄片置于二氧化硅层上，然后使用氢原子蚀刻锯齿状边缘的条带，这一过程被称为各向异性蚀刻。这种方法只适用于制造具有两层或两层以上石墨烯层的带。

电子峰谷导致的二氧化硅不规则现象使其表面变得粗糙，因此在石墨烯单层膜上制造精确的锯齿状边缘是一个挑战。

为了解决这一问题，他们将常用的二氧化硅替换为氮化硼，并利用这种衬底和各向异性蚀刻技术，成功制造出只有一层厚、具有明确锯齿形边缘的石墨烯纳米带。

锯齿形边缘纳米带在2000 cm2/Vs范围内表现出较高的电子迁移率，即使宽度小于10nm，也能创造干净、狭窄的能带间隙，这使其成为自旋电子和纳米电子器件的重要材料。

减小纳米带的宽度会使机动性因为边缘缺陷而急剧下降。使用标准的光刻制造技术，研究已经发现迁移率为100 cm2/Vs甚至更低，但即使在10以下的纳米尺度上，这种材料仍然超过2000 cm2/Vs，这表明这些纳米带具有非常高的质量。

在未来的研究中，将这种方法扩展到其他类型的衬底，可以使石墨烯单分子层快速大规模加工，制造出锯齿状边缘的高质量纳米带。