作者| 范亮

编辑| 郑怀舟

封面来源|视觉中国

1月9日晚，A股上市公司东尼电子发布公告，其子公司东尼半导体与下游客户签订《采购合同》，约定东尼半导体2023年向该客户交付6英寸碳化硅衬底 13.50 万片，含税销售金额合计人民币6.75亿元；2024年、2025年分别向该客户交付6英寸碳化硅衬底30万片和50万片。

对碳化硅行业而言，东尼电子的客户采购合同显然是个大订单。

要知道，碳化硅衬底龙头天岳先进在2021年的相关营收也仅有3.87亿元，碳化硅衬底出货量不过57000片。

反应在股价上，截止1月11日，东尼电子连续三天涨停，天岳先进本周上涨6%。

丨券商观点

1.海通证券

核心观点：占据价值高地，国产崛起机遇已至。

1）碳化硅性能优异，先进生产力代表。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。

2）衬底是碳化硅产业链的核心，在碳化硅器件的成本占比当中：衬底、外延、前段分别占比47%、23%、19%。其中，衬底环节是产业链的价值高地，而衬底行业的发展也是未来碳化硅产业降本、大规模产业化的主要驱动力。

3）目前碳化硅衬底市场以海外厂商为主导，国内企业市场份额较小。国内尺寸迭代较海外厂商略慢一筹，但近年来发展提速明显。截至2022年11月，晶盛机电、天岳先进、天科合达分别宣布掌握8英寸碳化硅衬底制备技术。中国衬底厂商有望重塑行业格局，未来在碳化硅衬底环节占领一席之地。

建议关注：天岳先进(688234)、晶盛机电(300316)、北方华创(002371)、高测股份(688556)

2.东方财富证券

核心观点：新能源提效在即，碳化硅优势显现开启全新增长极。（强于大市，维持）

1）碳化硅性能优势显著，国内外厂商加速布局。SiC具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优势，更适用于高压、高温、高频环境。

2）当前SiC市场仍被海外厂商主导，我国在该领域已催生出一批优质企业，并实现全产业链覆盖。衬底作为产业链核心，当前以PVT为主流技术。

3）新能源提效迫切，800V强势催化打开SiC广阔空间。SiC器件应用领域覆盖新能源汽车、光伏、轨道交通、5G等景气市场。在新能源车载模块，SiC器件主要应用于电机驱动系统逆变器、车载DC/DC、车载充电系统，助力整车提升加速度、降低系统成本、增加续航里程、实现轻量化。到2027年全球SiC市场规模有望达到481-675亿元。

4）国产替代、成本下降、良率提升持续推进。国产替代方面，我国SiC研发及工业化起步晚，海外厂商仍占主导，2021年全球SiC衬底市场仅美国厂商就占据逾76%的份额。但我国厂商产品迭代加速，研发时间较海外厂商更短，且性能参数均可对标，市占率呈快速上升趋势

建议关注：天岳先进(688234)、三安光电(600703)、露笑科技(002617)、新洁能(605111)

3.银河证券

核心观点：电力电子器件领域，碳化硅大有可为。

1）第三代半导体材料是指带隙宽度达到2.0-6.0eV的宽禁带半导体材料，包括了碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），是制造高压大功率电力电子器件的突破性材料。相比硅基，SiC材料在热导率、开关频率、电子迁移率和击穿场强均具备优势，因此SiC材料具备更高效率和功率密度。

2）从市场空间上来看，根据Yole数据，预计2027年市场空间将超过60亿美元，仅碳化硅器件中的功率器件的市场规模将从2021年的10.90亿美金增长至2027年的62.97亿美金，GAGR达到34%，从细分行业需求来看，新能源产业链和充电基础设施将为增长最快领域。

3）从供给端来看，目前整体产业链受限于SiC衬底产能、对衬底缺陷缺乏有效控制、向大尺寸衬底转移等因素，同时在外延膜生产设备基本依靠海外、厚度与掺杂浓度均匀性等因素，外延生产同样存在壁垒。多因素导致国内SiC市场短期仍表现为供不应求局面。

4）市场对SiC产业呈现众多分歧，包括长期系统成本与单一成本成本分歧、技术进步对产业链冲击以及多制造环节的自主可控等，但对新兴产业来说，随着未来长期衬底价格下降，SiC器件接受度和渗透率迎提升，短期分歧不改行业长期成长。

建议关注：天岳先进(688234)、三安光电(600703)、博敏电子(603936)、斯达半导(603290)

4.东莞证券

核心观点：SiC材料特性优异，新能源汽车、光伏驱动行业成长。

1）SiC产业链包括上游SiC衬底材料的制备、中游外延层生长、器件制造以及下游应用市场。从下游应用看，SiC衬底可分为半绝缘性衬底和导电性衬底，其中半绝缘SiC衬底主要用于制作微波射频器件，用于5G通讯、雷达等高频需求领域，导电型衬底则用于制作功率器件，用于新能源汽车、光伏发电等高压需求领域。

2）政策支持 成本下降，碳化硅国产替代有望加速。近年来，国家陆续出台政策鼓励SiC行业发展与创新，叠加SiC衬底向大尺寸演进，有效提升材料使用率，以及晶棒、衬底良率持续提升，未来碳化硅器件的生产成本有望持续下降，预计在高电压场景中将先具备替代优势。

建议关注：时代电气(688187)、天岳先进(688234)、三安光电(600703)、晶盛机电(300316)

*免责声明：

本文内容仅代表作者看法。

市场有风险，投资需谨慎。在任何情况下，本文中的信息或所表述的意见均不构成对任何人的投资建议。在决定投资前，如有需要，投资者务必向专业人士咨询并谨慎决策。我们无意为交易各方提供承销服务或任何需持有特定资质或牌照方可从事的服务。